CPU 配置

-1K´13 位片上 ROM

-48 8 位片上寄存器 （SRAM，通用）

-5 級(jí)堆棧用于子程序嵌套

-4 可編程電平電壓檢測(cè)器 LVD : 4.5, 4.0, 3.3, 2.2V

-3 可編程電平電壓復(fù)位 LVR : 4.0, 3.5,  2.7V

-在 5V/4MHz 時(shí)小于 1.5mA

-通常為 15 μA，3V/32kHz

-通常為 1 µA，在睡眠模式期間

I/O 端口配置

-2 個(gè)雙向 I/O 端口：P5, P6

-12 個(gè) I/O 引腳

-喚醒端口： P6

-7 可編程下拉 I/O 引腳

-7 個(gè)可編程上拉 I/O 引腳

-7 個(gè)可編程開(kāi)漏 I/O 引腳

-帶喚醒功能的外部中斷： P60

工作電壓范圍：

-2.1V~5.5V at 0~70°C(商業(yè))

-2.3V~5.5V at -40~85°C(工業(yè))

工作頻率范圍（基于 2 個(gè)時(shí)鐘）：

-水晶模式：DC~20MHz/2clks @ 5V DC~8MHz/2clks @ 3V DC~4MHz/2clks @ 2.1V

-ERC 模式：

DC~2 MHz/2clks @ 2.1V

-IRC 模式：

	漂移率
內(nèi)部 RC 頻率	溫度（-40°C~85°C）	電壓	過(guò)程	總計(jì)
4 兆赫	+ 1%	+ 3% *(2.1~5.5V)	+ 2%	+ 6%
16 兆赫	+ 1%	+ 1% *(4.0~5.5V)	+ 2%	+ 4%
8 兆赫	+ 1%	+ 2% *(3.0~5.5V)	+ 2%	+ 5%
1 兆赫	+ 1%	+ 3% *(2.1~5.5V)	+ 2%	+ 6%

* 工作電壓范圍

外設(shè) 配置

-8 位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器 (TCC)，具有選擇性信號(hào)源、觸發(fā)沿和溢出中斷

-外部中斷輸入引腳

由代碼選項(xiàng)選擇的每個(gè)指令周期-2/4個(gè)時(shí)鐘

-掉電（睡眠）模式

-高 EFT 免疫力

四個(gè)可用的中斷：

-TCC溢出中斷

-輸入端口狀態(tài)改變 中斷

-外部中斷

-低電壓檢測(cè)中斷

特殊功能

-可編程自由運(yùn)行看門(mén)狗定時(shí)器

-提供開(kāi)機(jī)電壓檢測(cè)器 (1.8~1.9V)

包類型：

-14-piDIP 3億： EM78P173ND14

-14-pin SOP 150mil   :  EM78P173NSO14

-10-pin MSOP 118mil  : EM78P173NMS10

注意：這些都是不含有害物質(zhì)的綠色產(chǎn)品

引腳分配

(1) 14-Pin DIP/SOP

(1) 10-Pin MSOP

引腳說(shuō)明

名稱	功能	輸入類型	輸出類型	說(shuō)明
P50~P52	P50~P52	ST	CMOS	具有可編程下拉功能的雙向 I/O 引腳。
P53	P53	ST	CMOS	雙向 I/O 引腳
P60//INT	P60	ST	CMOS	具有可編程下拉、開(kāi)漏、上拉和引腳變化喚醒功能的雙向 I/O 引腳。
	/INT	ST	-	外部中斷引腳
P61	P61	ST	CMOS	具有可編程下拉、開(kāi)漏、上拉和引腳變化喚醒功能的雙向 I/O 引腳。
P62/TCC	P62	ST	CMOS	具有可編程下拉、開(kāi)漏、上拉和引腳變化喚醒功能的雙向 I/O 引腳。
	TCC	ST	-	實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器時(shí)鐘輸入
P63//重置	P63	ST	CMOS	具有可編程下拉和引腳變化喚醒的雙向 I/O 引腳。 （開(kāi)漏）
	/重置	ST	-	外部上拉復(fù)位引腳
P64/OSCO/RCOUT	P64	ST	CMOS	具有可編程開(kāi)漏、上拉和引腳變化喚醒功能的雙向 I/O 引腳。
	OSCO	-	XTAL	晶體/諧振器的時(shí)鐘輸出
	RCOUT	-	CMOS	內(nèi)部RC振蕩器的時(shí)鐘輸出外部RC振蕩器的時(shí)鐘輸出（open-drain）
P65/OSCI/ERCin	P65	ST	CMOS	具有可編程開(kāi)漏、上拉和引腳變化喚醒功能的雙向 I/O 引腳
	OSCI	XTAL	-	晶體/諧振器的時(shí)鐘輸入
	ERCin	AN	-	外部 RC 輸入引腳
P66~P67	P66~P67	ST	CMOS	具有可編程開(kāi)漏、上拉和引腳變化喚醒功能的雙向 I/O 引腳
VDD	VDD	電源	-	電源
VSS	VSS	電源	-	地面

 

圖例： ST：施密特觸發(fā)器輸入 CMOS：CMOS 輸出 AN：模擬引腳 XTAL：晶體/諧振器的振蕩引腳

 EM78P173N 功能框圖 

封裝說(shuō)明

14-引線塑料雙列直插式封裝 (PDIP) — 300 mil

B-1a EM78P173N 14 引腳 PDIP 封裝類型

功能說(shuō)明

6.1 操作寄存器
6.1.1R0（間接尋址寄存器）
R0 不是物理實(shí)現(xiàn)的寄存器。 它用作間接尋址指針。 任何使用 R0 作為指針的指令實(shí)際上都會(huì)訪問(wèn) RAM 選擇寄存器 (R4) 所指向的數(shù)據(jù)。
6.1.2R1（定時(shí)器時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器）
? 由外部信號(hào)邊沿增加，由TE 位（CONT-4）通過(guò)TCC 引腳定義，或由指令周期時(shí)鐘增加。
? 與任何其他寄存器一樣可寫(xiě)和可讀。
? 通過(guò)重置 PAB (CONT-3) 定義。
? 如果 PAB 位 (CONT-3) 復(fù)位，則預(yù)分頻器分配給 TCC。
? 預(yù)分頻計(jì)數(shù)器的內(nèi)容只有在 TCC 寄存器被寫(xiě)入一個(gè)值時(shí)才會(huì)被清除。
6.1.3R2（程序計(jì)數(shù)器和堆棧）
? 根據(jù)設(shè)備類型，R2 和硬件堆棧為 10 位寬。 其結(jié)構(gòu)如下圖所示。

 ?當(dāng)ICE300N嘗試模擬EM78P173N的堆疊時(shí)，當(dāng)模擬堆疊超過(guò)5層時(shí)，模擬結(jié)果將與EM78P173N不一致。
? 配置結(jié)構(gòu)生成1024×13 位的片上OTP ROM 地址到相關(guān)的編程指令代碼。一個(gè)程序頁(yè)長(zhǎng) 1024 個(gè)字。
?R2 在復(fù)位狀態(tài)下設(shè)置為全“0”。

?“JMP”指令允許直接加載程序計(jì)數(shù)器的低 10 位。因此，“JMP”允許 PC 轉(zhuǎn)到頁(yè)面內(nèi)的任何位置。
?“CALL”指令加載PC的低10位，然后PC+1被壓入堆棧。因此，子程序入口地址可以位于頁(yè)面內(nèi)的任何位置。
?"RET" ("RETLk", "RETI") 指令將頂層堆棧的內(nèi)容加載到程序計(jì)數(shù)器中。
?“ADD R2,A”允許在當(dāng)前PC上增加一個(gè)相對(duì)地址，PC的第9位和第10位會(huì)逐漸增加。
?“MOV R2,A”允許從“A”寄存器加載一個(gè)地址到PC的低8位，PC的第9和第10位（A8~A9）保持不變。
任何寫(xiě)入 R2 的指令（“ADD R2,A”除外）（例如，“MOV R2, A”、“BC R2, 6”等）都會(huì)導(dǎo)致 PC 的第 9 位及以上位保持不變。
? 所有指令都是單指令周期（fclk/2 或 fclk/4），除了會(huì)改變 R2 內(nèi)容的指令。這樣的指令將需要多一個(gè)指令周期。

質(zhì)量保證和可靠性

測(cè)試類別	測(cè)試條件	備注
可焊性	焊料溫度 = 245 ±5°C，使用松香型助焊劑保持 5 秒直至塞子	–
前提條件	步驟 1：TCT，65°C（15 分鐘）~150°C（15 分鐘），10 個(gè)循環(huán)	SMD IC（如SOP、QFP、SOJ等）
	第 2 步：在 125°C 下烘烤，TD（耐力）= 24 小時(shí)
	第 3 步：在 30°C/60% 下浸泡，TD（耐力）= 192 小時(shí)
	第 4 步：IR 流 3 個(gè)周期 (Pkg 厚度 ³ 2.5mm 或 包裝體積 ³ 350 mm3 225   5°C) (Pkg 厚度 & 2.5 毫米或 包裝體積   350 mm3 240   5°C)
溫度循環(huán)測(cè)試	-65°C (15 min) ~ 150°C (15 min), 200 個(gè)循環(huán)	–
壓力鍋測(cè)試	TA = 121°C，RH = 100%，壓力 = 2 atm，TD（耐力）= 96 小時(shí)	–
高溫/高濕測(cè)試	TA = 85°C , RH = 85%, TD (耐力) = 168 , 500 小時(shí)	–
高溫儲(chǔ)存壽命	TA = 150°C，TD（耐力）= 500, 1000 小時(shí)	–
高溫工作壽命	TA = 125°C，VCC = 最大值。工作電壓，TD（耐力）= 168, 500, 1000 hrs	–
閂鎖	TA = 25°C，VCC = 最大值。工作電壓，800mA/40V	–
ESD (HBM)	TA = 25°C, ³∣± 4KV∣	IP_ND,OP_ND,IO_ND IP_NS,OP_NS,IO_NS IP_PD,OP_PD,IO_PD,IP_PS,OP_PS,IO_PS,VDD-VSS(+),VDD_VSS (-) 模式
ESD (MM)	TA = 25°C，³ ∣± 400V∣

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