PMS15B/PMS150G 系列8 位 OTP IO 類型單片機使用說明
通用 OTP 系列
不建議使用于AC 阻容降壓供電或有高EFT要求之應用
工作溫度范圍： -40°C ~ 85°C
| 系列 | 程序存儲器 | 數據存儲器(byte | 最大IO數量 |
| PMS150G | 1KW | 64 | 6 |
| PMS15B | 0.5KW | 64 | 6 |
PMS150G 與 PMS150C 幾乎相同
差異：
在編程期間，PMS150G 在 PA5 上使用較低的電壓，但在 VCC 上使用比 PMS150C 更高的電壓。
當使用官方 Padauk 編程器進行編程時，PMS150G 需要比 PMS150C (PDK3S-P002) 更新的最低硬件版本 (PDK5S-P003)。
PMS150G 可以在 1.8V 下運行，而 PMS150C 至少需要 2.0V。
PMS150G 在約 60 kHz 頻率下運行時需要更多功率（22 µA 與 13 µA）。
與 PMS150C 相比，PMS150G 可以在 I/O 線上驅動和吸收更多電流。
PMS150G 從通電到啟動需要更多的時間。
PMS150G 的最大時鐘為 2 Mhz，而 PMS150C 的最大時鐘為 8 Mhz
系統特性
1. 1KW OTP 程序儲存器
2. 64 Bytes 數據儲存器
3. 一個16位定時器
4. 一個8位定時器(可做為PWM產生器)
5. 一個通用比較器
6. 每個IO 引腳都可設定喚醒功能
7. 六個帶輸入上拉/下拉電阻IO 引腳
8. 時鐘源：內部高頻震蕩器，內部低頻震蕩器
9. 八段LVR 可選:4.0V, 3.5V, 3.0V, 2.75V, 2.5V, 2.2V, 2.0V, 1.8V
10. 一個外部中斷引腳
CPU 特性
1. 單一處理單元工作模式
2. 提供79 個有效指令
3. 1T(單周期)指令
4. 可程序設定的堆棧指針和堆棧深度
5. 數據存取支持直接和間接尋址模式,用數據存儲器即可當作間接尋址模式的數據指針(index pointer)
6. 獨立的IO 地址以及儲存地址空間
PMS150G CPU 特性應用讀寫例子
PMS15B/PMS150G 系列8 位 OTP IO 類型單片機 讀寫例子,由于您的 PMS150G 具有額外的出廠價值@0x3f5你應該排除這個詞以及
更改==> .exclude_code_start = 0x3F5，
那么它不應該抱怨“非空白”ic。
@0068 第1700章 1700
@0069 1000 // 添加 A，0x00
@006a 1001 // 添加 A，0x01
@006b 1002 // 添加 A，0x02
@006c 1003 // 添加 A，0x03
@006d 1004 // 添加 A，0x04
@006e 1005 // 添加 A，0x05
@006F 1006 // 添加 A，0x06
@0070 1007 // 添加 A，0x07
@0071 1008 // 添加 A，0x08
@0072 1009 // 添加 A，0x09
@0073 100a // 添加 A，0x0A
@0074 100b // 添加 A，0x0B
@0075 100c // 添加 A，0x0C
@0076 100d // 添加 A，0x0D
@0077 100e // 添加 A，0x0E
@0078 100f // 添加 A，0x0F
@0079 1010 // 添加 A，0x10
@007A 1011 // 添加 A，0x11
@007b 1012 // 添加 A，0x12
@007c 1013 // 添加 A，0x13
@007D 1014 // 添加 A，0x14
@007e 1015 // 添加 A，0x15
@007f 1016 // 添加 A，0x16
@0080 1017 // 添加 A，0x17
@0081 1018 // 添加 A，0x18
@0082 1019 // 添加 A，0x19
@0083 101a // ADD A, 0x1A
LA 查看OTP at 150G at 0x080 正確數據“1017” 讀取數據“1A42” ........
使用以下設置和命令將某些內容寫入 PMS150G
二進制文件適用于 PMS150C，因為包含文件中沒有 PMS150G 的此類設置
{ .name = "PMS150G",
.otpid = 0x2539,
.id12bit = 0x639,
.type = FPDK_IC_OTP1_2,
.addressbits = 12,
.codebits = 13,
.codewords = 0x400,
.ramsize = 0x40,
.exclude_code_start = 0x3F6,
.exclude_code_end = 0x400,
.vdd_cmd_read = 2.5,
.vpp_cmd_read = 5.5,
.vdd_read_hv = 2.5,
.vpp_read_hv = 5.5,
.vdd_cmd_write = 4.5,
.vpp_cmd_write = 8.0,
.vdd_write_hv = 6.5,
.vpp_write_hv = 8.0,
.write_block_size = 2,
.write_block_clock_groups = 1,
.write_block_clocks_per_group = 8,
},
引腳緩沖區硬件圖
PMS15B/PMS150G 所有 IO 引腳都可以透過數據寄存器(pa)，控制寄存器(pac)，弱上拉電阻(paph)和弱下
拉電阻(papl)設定成輸入或輸出，每一 IO 引腳都可以獨立配置成不同的功能；所有這些引腳設置有施密特觸發
輸入緩沖器和 CMOS 輸出驅動電位水平。當這些引腳為輸出低電位時，弱上拉/下拉電阻會自動關閉。當上/下
拉電阻同時打開時，下拉電阻會自動關閉。如果要讀取端口上的電位狀態，一定要先設置成輸入模式；在輸出
模式下，讀取到的數據是數據寄存器的值。
| pa.0 | pac.0 | paph.0 | papl.0 | 描述 |
| X | 0 | 0 | 0 | 輸入，沒有弱上拉/下拉電阻 |
| X | 0 | 1 | 0 | 輸入，有弱上拉電阻 |
| X | 0 | 0 | 1 | 輸入，有弱下拉電阻 |
| X | 0 | 1 | 1 | 輸入，僅有弱上拉電阻 |
| 0 | 1 | X | X | 輸出低電位，沒有弱上拉/下拉電阻 |
| 1 | 1 | X | X | 輸出高電位，沒有弱上拉/下拉電阻 |
PMS150G 燒錄需知
適用范圍：PMS150G
1. 前言
針對 PMS150G 芯片在半自動機臺燒錄時，其燒錄過程有可能會受到半自動機臺或是其他工
作雜訊的干擾，進而使燒錄良率下降、甚至出現 IC 被燒壞的情況，本 APN 提供改善對策。
PMS150G的燒錄，必須要使用PDK5S-P-003或者PDK5S-P-003B，對于SOP8的標準IC，燒錄方式和PMS150C-S08完全一致。但是對于SOT23-6的封裝，燒錄就顯得要麻煩一些。原因是PDK5S-P-003或者PDK5S-P-003B，在燒錄時需要對IC做管腳測試。在沒有做任何申明的情況下，燒錄器也是不知道具體需要燒錄哪一顆IC，這樣會造成只連接對那幾個燒錄引腳的情況下，是有很大機會燒錄不了IC的。
2. 說明和改善對策
以 PMS150G-S08 為例，為提升 IC 批量燒錄的穩定性及可靠性，燒錄前，請在 Writer 背后
JP2 的 PA5 引腳上串一個 100Ω 的電阻。連接方式參考圖 1：
圖1
若燒錄 U06 封裝的 IC，請在 JP7 的 PA5 引腳處串一個 100Ω 的電阻，連接方式如圖 2 所示：
圖2 PMS150G-U06
